氮化镓 (GaN) 领域台积电退三星电子进:后者 8 英寸产线最早 2026Q2 投产

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3 月 23 日消息,晶圆代工龙头台积电已宣布计划于 2027 年终止氮化镓 (GaN) 晶圆的生产,与此同时三星电子将其视为重要增长点。根据韩媒 THE ELEC 当地时间本月 19 日的报道,三星的 8 英寸 GaN 生产线即将就绪。

三星半导体最初在 2023 年表示其功率半导体晶圆厂将于 2025 年投产,不过实际进度要慢上一些。最新行业消息显示,三星的首条 8 英寸 GaN 生产线最快 2026Q2 投产,预计初期营收规模在 1000 亿韩元(注:现汇率约合 4.62 亿元人民币)以内。

报道指出,三星电子已建立除芯片设计外的 GaN 解决方案体系,可自产 GaN 外延晶圆。

除 GaN 外,三星电子还计划在年内投运碳化硅 (SiC) 功率半导体晶圆代工生产线。在 SiC 上三星拥有包括设计在内的全流程能力,可与 GaN 在不同耐压区间形成互补。